1980年，米國惠普公布dram內存采購情況，對競標的3家日本公司和3家米國公司的16k dram芯片進行檢測，質量檢驗結果為：
米國三家最好dram公司的芯片不合格率，比日本三家dram公司的芯片不合格率，整整高出6倍。
三家米國公司是英特爾、德州儀器和莫斯泰克。
三家日本公司是nec、日立和富士通。
三十年集聚一朝奮起，到1986年日本人占據全球dram存儲器芯片市場80%份額，成為當時全球半導體產業的新霸主。
日本人的大獲全勝，為全球半導體發展天朝家樹立了一個成功逆襲的典範。
1985、1991年兩次簽署的《美日半導體協議》，雖然給日本人進行極大的製約，雖然米國人全力扶持韓國人，但造成日本人在1986-1997年的第二次dram世界大戰-日韓半導體戰爭中失敗，十年間斷崖式下滑的主要原因還是日本人在科技紅利之有效研發投入上的不足。
日本在64m dram關鍵技術有效研發投入上大大落後於韓國人，日本人就此錯失了第二次、第三次全球半導體矽含量提升周期，錯失pc、筆記本、手機等快速普及的市場紅利。
1985年開始日本經濟進入泡沫化，房地產就像打了雞血，全民進入炒房時代。1985年日本人砍掉近40%的設備更新投資和科技紅利投入，1986-1987年日本人有效研發投入從4780億日元下降到隻有2650億日元，下降幅度達到80%，這就給了韓國人反超的機會。
日韓半導體戰爭後，日本人已無力回天。1999年富士通宣布退出dram市場。曾經的三巨頭nec、日立、三菱三家公司的dram部門合並，成立爾必達(elpida)。
爾必達與天朝台灣省的力晶半導體建立聯盟以抗衡韓國人。
2008-2009年，中芯國際麵臨台積電在米國的337調查和訴訟，爾必達無奈終止和中芯國際的合作，爾必達徹底失去最後的生機。
2010-2011年，爾必達陷入困境，連續5個季度虧損，申請破產保護。
2012年7月，鎂光科技以25億美金收購爾必達。
美日兩國半導體產業長達50年相愛相殺，恩怨情仇，就此煙消雲散。
爾必達的失敗，有外因，也有內部因素。爾必達自成立起，有三大內傷，埋下日後覆滅的因子：
第一，管理上官本位，三家合並後，管理崗位的分配並不是按照能力和職能進行分配，而是，任何崗位一定要共同參與，比如某一崗位，一正一副，如果正職來自nec，那麼日立一定是副職。這種管理在現代企業發展史上也是奇葩了。
第二，研發文化的衝突，特別是技術路徑的分歧巨大。比如在64m升級到256m dram的技術攻關中，nec強調技術體係的統一性，要求在64m的基礎上實現技術升級，而日立強調技術的創新和突破，要求采用新材料、新結構等新技術尋求技術突破。nec認為統一性能保證較高的成品率，而日立則是優先考慮用新技術帶來突破，再去研究統一性問題。
nec強調統一性，而日立提倡突破性，這是兩種完全不同的研發文化，帶來的思維方式完全不同的，這使得dram關鍵技術研發上，爭吵不已、拖遝冗長，完全落後於韓國人的研發進度。
第三，工藝、設備等生產供應鏈的不兼容。爾必達成立後，沒有及時將關鍵工藝的供應鏈進行整合，比如清洗液和清洗設備，nec、日立、三菱居然都是不同的，在關鍵技術研發上，甚至出現了nec研發中心開發的新技術，根本無法完全應用於日立的生產體係中，這使得nec研發中心開發新技術後，需要先經過日立研發中心的調整和驗證，才能夠應用於原來日立的生產工藝體係中。
2016年5月，日本東芝與米國閃迪(sandisk)，合資建設12英寸晶圓廠，投資超過40億美金，主要生產48層堆疊的3d nand閃存芯片，希望能夠和韓國人再次較量一場。
然並卵，依舊無法抵禦於依托天朝大陸市場戰略縱深的三星，2017年，東芝出售半導體存儲器。至此，日韓半導體戰爭畫上最終句號。