1975年日本人以通產省為中心的“下世代電子計算機用vlsi研究開發計劃”構想，設立了官民共同參與的“超大規模集成電路(vlsi)研究開發政策委員會”。
第二，官產學三位一體，製定國家項目進行重點攻關。
1976年日本啟動vlsi研究項目。1976年3月經通產省、大藏省等多次協商，日本政府啟動了“dram製法革新”國家項目。
由日本政府出資320億日元，日立、nec、富士通、三菱、東芝五大公司聯合籌資400億日元。
總計投入720億日元為基金，由日本電子綜合研究所和計算機綜合研究所牽頭，設立國家性科研機構-vlsi技術研究所。
日本人官產學三位一體，協調發展，通力合作，齊心協力，針對高難度、高風險的研究項目，vlsi研究所組織多個實驗室以會戰的方式，調動各單位的積極性，發揮良性競爭，各企業之間技術共享合作，共同提高dram量產成功率。
期間申請的實用新型專利和商業專利，分別達到1210件和347件。
研發的主要成果包括各型號電子束曝光設備，采用紫外線、x射線、電子束的各型製版複印設備、幹式蝕刻設備等，取得了一係列引人注目的成果。
這為美日半導體戰爭，打下了堅實的產業和科研基礎。
第三，舉國體製，突破產業鏈上下遊，特別是半導體關鍵生產製造設備。70年代日本雖然可以生產dram內存芯片。
但是，最為關鍵的生產製程設備和原材料主要來自米國，為了補足短板，日本人組織800名技術人員進行重點攻關，共同研製高性能的國產化dram生產設備，不僅實現64k dram和256k dram的商用化，也實現1m dram商用化的關鍵生產製程設備。
在dram生產製程設備攻關體係中，日本人團結一致、齊心協力，這種舉國體製的國家力量令人震驚。
這為後期美日半導體戰爭中，以集團軍作戰的方式在256k dram的決定性戰鬥中一舉打垮米國50家半導體聯盟的戰爭中立下赫赫戰功。
第一研究室，日立公司，負責電子束掃描設備與微縮投影紫外線曝光設備，室長：右高正俊。
第二研究室，富士通公司，負責研製可變尺寸矩形電子束掃描設備，室長：中村正。
第三研究室，東芝公司，負責eb掃描設備與製版複印設備，室長：武石喜幸。
第四研究室，電氣綜合研究所，對矽晶體材料進行研究，室長：飯塚隆。
第五研究室，三菱電機，開發製程技術與投影曝光設備，室長：奧泰二。
第六研究室，nec公司，進行產品封裝設計、測試和評估研究，室長：川路昭。
直到2010年之前，日本的半導體設備指數和米國費城半導體指數bb值，是評估全球半導體行業景氣度的兩個關鍵指標。
1978年日本人發明64k dram，其問世標誌著超大規模集成電路(vlsi)時代的來臨，矽片直徑為100-125mm，芯片麵積為26.6mm2，集成度為155000。主要技術為循環位線、折疊數據線。
1980年日本人發明256k dram，矽片直徑為125-150mm，芯片麵積為34.8mm2，集成度為555000，主要技術為三層多晶矽和冗餘技術。
在推進dram產業化方麵，日本政府為半導體企業提供高達16億美金的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業打造dram集成電路產業集群，並最終一舉贏取第一次dram世界大戰-美日半導體戰爭的勝利。
在科技紅利之有效研發投入上，遠遠超過米國人，這才是日本人獲勝的本質。
1980開始第一次全球半導體矽含量提升周期進入加速期，作為全球最大消費市場的米國，以蘋果為代表的一批公司，推進了大型機、小型機向普通家庭的快速普及。
在一年時間內，米國家用電腦出貨量從4.8萬台，暴增到20萬台，家庭電腦的高速增長，對存儲器芯片產生了大量需求，日本人在dram核心技術的科技紅利領先，這給日本dram廠商帶來了搶占米國市場的機會。